标准包装：100类别：电容器家庭：薄膜电容器系列：ECQ-V包装：散装电容：0.39μF容差：±5%额定电压 - AC：-额定电压 - DC：100V介电材料：聚酯，金属化 - 层叠式ESR（等效串联电阻）：-工作温度：-40°C ~ 105°C安装类型：通孔封装/外壳：径向大小/尺寸：0.402" 长 x 0.217" 宽（10.20mm x 5.50mm）高度 - 安装（最大值）：0.591"（15.00mm）端接：PC 引脚引线间距：0.197"（5.00mm）应用：通用特性：-其它名称：ECQV1394JMW

TrenchMOS 技术的逻辑电平 N 沟道 MOSFET。该产品设计符合 AEC Q101 标准，用于高性能汽车应用。特点 符合 AEC Q101 要求 重复雪崩级 额定工作温度 175°C ，能在散热要求高的环境中使用应用 12V 汽车系统 电机、灯泡和电磁控制 怠速熄火微型混合动力应用 传动控制 超高性能电源开关产品种类:MOSFETRoHS:  技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LFPAK56D-8通道数量:2 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:40 A

低边开关是多功能功率晶体管，特别适合汽车和工业应用。它们内建的智能和保护特性不仅大幅降低了成本并减小了 PCB、缩短了上市时间，而且与常规、分立解决方案相比提高了性能和 & 可靠性。HITFET 智能低侧开关通过超温、短路、过流、过压和 ESD 保护特性，提供了更高程度的保护。HITFET 在一个易于使用的器件中综合了所有这些保护特性。凭借这些特性再加上英飞凌为世人所知的品质和可靠性，用户大可放心，即使是最具挑战性的应用要求，HITFET 也一定能够满足。

产品种类:电源开关 IC - 配电RoHS:  类型:Low Side输出端数量:1 Output输出电流:3.5 A电流限制:24 A导通电阻—最大值:50 mOhms工作电源电压:- 0.2 V to 10 V电源电压-最小:- 0.2 V电源电压-最大:10 VPd-功率耗散:43 W最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 150 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3运行时间—最大值:100 us空闲时间—最大值:100 us系列:资格:AEC-Q100封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel产品:Power Switches

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