CL31B104KCNEVD 为MOSFET 关断期间的漏源电压，ID 是MOSFET 导通期间的沟道电流，tSW(ON)和tSW(OFF)是导通和关断时间。降压电路转换，VIN 是MOSFET 关断时的电压，导通时的电流为IOUT。

验证MOSFET 的开关损耗和传导损耗，降压转换器中集成高端MOSFET 的典型波形：VDS和IDS。电路参数为：VIN = 10V、VOUT = 3.3V、IOUT = 500mA、RDS(ON) = 0.1Ω、fS = 1MHz、开关瞬变时间(tON + tOFF)总计为38ns。

开关变化不是瞬间完成的，电流和电压波形交叠部分导致功率损耗。MOSFET“导通”时，流过电感的电流IDS 线性上升，与导通边沿相比，断开时的开关损耗更大。

MOSFET 的平均损耗可以由下式计算：

PT(MOSFET) = PCOND(MOSFET) + PSW(MOSFET)

= [(I13 - I03)/3] × RDS(ON) × VOUT/VIN + 0.5 × VIN × IOUT × (tSW(ON) + tSW(OFF)) × fS

= [(13 - 03)/3] × 0.1 × 3.3/10 + 0.5 × 10 × 0.5 × (38 × 10-9) × 1 × 106

= 0.011 + 0.095 = 106mW

Microchip推出了一种PSE芯片组，95W受电设备PoH四对供电标准。Microchip又率先推出了帮助预标准交换机与符合IEEE 802.3bt-2018标准的新产品实现互操作性的IEEE 8023af/at/bt芯片组。Microchip推出的符合IEEE 802.3bt标准的产品包括：

PoE供电器和中跨设备：

在受电设备和现有交换机之间部署单端口或多端口解决方案之后，用户可以为预标准受电设备和符合IEEE 802.3bt-2018标准的受电设备同时供电.

产品包括单端口和多端口型号，还支持符合IEEE 802.3bt标准的新型交换机为预标准受电设备供电。

FCO730泄漏检测仪,泄漏量程档手动切换检测适宜用于单一泄露检测检测压力从真空至30 bar泄露检测灵敏度可低至 0.1 Pa 或 0.01 ml/min气信号或电信号输出，可编程检测曲线显示,FCO210泄漏检测仪,操作简便多种流速清晰明了的显示带截止阀.

深圳市金嘉锐电子有限公司http://xczykj.51dzw.com/

(素材来源：eccn和21IC.如涉版权请联系删除。特别感谢）