p3584 零偏压栅源电容模型参数
发布时间:2020/1/30 22:48:48 访问次数:1659
p3584表5.6.1 MOsFET的模型主要参数,Level=3时属于短沟道器件,此时无论是否设置了沟道长度调制系数Lambda的值,总认为Lambda=0,因此在仿真沟道长度调制系数对电路的影响时,要将Level设置为2或1。要注意Κ与Kn的区别,Kn是电导常数,Kn~uo它们的单位是一样的。模型中Kp的值实际上是Kl的值。
表5.6.2 JFET的SPICE模型主要参数,例SPE5.6.1 电路如图5.2.3所示。设NMOS管T的参数为u=0.8Ⅴ,ui=1mA/Ⅴ2。 电j络其他z参数为yDD=yss=5Ⅴ, J=0.5 mA, Rd=7 kΩ,Rg=200 kΩ,Cs=47 uF,输人信号采用振幅为10 mⅤ,频率为1 kHz的正弦波。试用SPICE分析,研究沟道调制参数入对小信号电压增益的影响。
解:场效应管选用IRF150模型,根据要求修改其参数为
Level=2 Kp=50 uA/Ⅴ2 Ⅵ=80 un1 L=2 urnˉⅤto=0.8V
nΚ-wKpW=ilL,An=u・f=j・k
5.6.3 SPrCE仿真模型参数,SPICE模型级别,零偏压阈值电压,本征导电因子(过程跨导),沟道宽度沟道长度,沟道长度调制系数体效应参数,氧化层厚度源极电阻,漏极电阻单位宽度的栅源覆盖电容,单位宽度的栅漏覆盖电容阈值电压,跨导系数,沟道长度调制参数,源极电阻漏极电阻,零偏压栅源电容模型参数,2N4393的参数IRF150的参数.
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
p3584表5.6.1 MOsFET的模型主要参数,Level=3时属于短沟道器件,此时无论是否设置了沟道长度调制系数Lambda的值,总认为Lambda=0,因此在仿真沟道长度调制系数对电路的影响时,要将Level设置为2或1。要注意Κ与Kn的区别,Kn是电导常数,Kn~uo它们的单位是一样的。模型中Kp的值实际上是Kl的值。
表5.6.2 JFET的SPICE模型主要参数,例SPE5.6.1 电路如图5.2.3所示。设NMOS管T的参数为u=0.8Ⅴ,ui=1mA/Ⅴ2。 电j络其他z参数为yDD=yss=5Ⅴ, J=0.5 mA, Rd=7 kΩ,Rg=200 kΩ,Cs=47 uF,输人信号采用振幅为10 mⅤ,频率为1 kHz的正弦波。试用SPICE分析,研究沟道调制参数入对小信号电压增益的影响。
解:场效应管选用IRF150模型,根据要求修改其参数为
Level=2 Kp=50 uA/Ⅴ2 Ⅵ=80 un1 L=2 urnˉⅤto=0.8V
nΚ-wKpW=ilL,An=u・f=j・k
5.6.3 SPrCE仿真模型参数,SPICE模型级别,零偏压阈值电压,本征导电因子(过程跨导),沟道宽度沟道长度,沟道长度调制系数体效应参数,氧化层厚度源极电阻,漏极电阻单位宽度的栅源覆盖电容,单位宽度的栅漏覆盖电容阈值电压,跨导系数,沟道长度调制参数,源极电阻漏极电阻,零偏压栅源电容模型参数,2N4393的参数IRF150的参数.
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
上一篇：p8359 高频段电压增益
相关技术资料- 5-15高性能全局快门图像传感器SC533HGS
- 5-15 I2C 接口 PmBUS 及 OTP/MTP 存储器
- 5-15处理器核心电源 Intelli-Phase（单片DrMOS）
- 5-15业界首款全自研高性能RISC-V服务器芯片
- 5-15数字恒定导通时间控制模式（COT）
- 5-15Power Management Buck/降压转换
- 5-15Quiet Switcher技术 (QSTTM)集成驱动 MOSF
- 5-14高精度智能磁性传感器芯片KTM5900
- 5-14新一代全光纤工业光总线技术应用前景
- 5-14通感控一体全光网芯片TS-PON Gen2
- 5-14Sub-GHz/Wi-SUN 收发器技术参数设计
- 5-14低功耗 8 位和 16 位微控制器（MCU）
公网安备44030402000607
