p7298JFET的栅源电压不能接反,但可以在开路状态下保存。而MOSFET由于栅极一衬底之间的电容量很小,只要有少量的感应电荷就可产生很高的电压,同时RGs很大,所感应的电荷难于释放,以至于感应电荷所产生的高压有可能使极薄的绝缘层击穿,造成管子损坏。因此,无论在存放还是在工作电路之中,都应在栅极一源极之间提供直流通路或加双向稳压对管保护,避免栅极悬空。

焊接时,电烙铁必须有外接地线,以屏蔽交流电场,防止损坏管子。特别是焊接MOSFET时,最好断电后再焊接。

各种放大器件电路性能比较,第4章已经讨论,BJT有三个电极,它在放大电路中可有三种组态,即共射极(CE)、共集电极(CC)和共基极(CB)①。与之对应的JFET、MESFET、MOSFET也有三种组态,即共源极(CS)、共漏极(CD)和共栅极(CG)。但依据输出量与输入量关系的特征,这两种器件的六种组态又可归纳为三种通用的组态,即反相电压放大器(含CE、CS)、电压跟随器(含CC、CD)和电流跟随器(含CB、CG)。现将它们的一般电路示意图、主要特征及用途列于表5.5.2中。

在电子电路设计中,首先根据技术要求选组态,然后进一步确定器件,最后设计电路。下面以BJT和FET的组合电路为例说明这一设计思路。

例5.5.1 试设计一放大电路,要求其噪声低,能与具有高内阻的信号源匹配,且有较高的上限频率(>1 MHz)。(1)确定电路方案;(2)选用放大器件和电路元件参数;(3)导出其中频区源电压增益AvsM、Ri和R。的表达式;

算出电路的上限截止频率。

解:(1)确定电路方案,JFET噪声低,而由它构成的倒相电压放大电路具有电压增益较高和输入电阻高的特点,因此第一级选用JFET共源电路;为消除密勒效应,第二级选用BJT电流跟随器。整个电路为共源一共基串接组态,如图5.5.1所示。

选用放大器件和电路元件参数,在图5.5.1中,T1选用JFET CS146,其工作点上的参数为:gm1=18ms,Cgs=2.5 pF,Cgd=0.9pF;T2选用BJT 3DG4,其工作点上的参数为:b=100,rbb=50Ω,rbc=1 kΩ,Che=80 pF,Cbc=5pF。其他电路元件参数如图中所示。

此处的CE、CC和CB中符号C系Common的字头,E、C、B分别表示发射极、集电极和基极,余类推,各种放大器件客蹯性能比较.

深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/