H15721BIBCc对输出回路基本上不存在折算问题,因为re≈rc,而且一般有Cc>Cb2,因而Cc对输出回路的作用可忽略(作短路处理),这样就可得图4.7.13c所示的简化电路,图中还把受控电流源`rb与Rc的并联回路转换成了等效的电压源形式。

图4.7.13c的输人回路和输出回路都与图4.7.4所示的高通电路相似。由图4.7.13c可得RL-bc=1-j/coCb2(Rc+RL)

yRc+RL+jωCb2

ys=(Rs+rbc-j/ωC1)rb=(Rs+r be)[1-j/t)Cl(Rs+rbe)]rb

则低频源电压增益为BRηs1-7s-Rs+rbe

1-j/ωC1(Rs+rbe)1-j/ωCb2(Rc+RL)

1=ulr=I-i(u/ttu1-jui)             (4.7.34)

式中A rsM=-R+苯是忽略基极偏置电阻Rb时的中频(即通带)源电压增益。

1L=uysM・I=7-7f

2πCl(Rs+rbe)            (4.7.35)

u2=ui-kl  (4.7.36)

由此可见,图4.7.10a所示的RC耦合单级共射放大电路在满足式(4.7.32)的条件下,它的低频响应具有儿和u2两个转折率,如果二者间的比值在四倍以上,则取值大的那个作为放大电路的下限频率。

需要指出的是,由于Cc在射极电路里,流过它的电流fc是基极电流Jb的(1+b)倍,它的大小对电压增益的影响较大,因此Ce是影响低频响应的主要因素。

当Cb2很大时,可只考虑Cbl、Ce对低频特性的影响,此时式(4.7.34)简化为,其对数幅频特性和相频特性的表达式为201g|vsL|=201g|A1~sM|-201g

u=-180°-arctan(u)= -180+arCtan(u/r)

放大电路的频率响应,频响应的影响将存在较大误差。更精确的分析,见本章sPICE例题。

由上可知,为了改善放大电路的低频特性,需要加大耦合电容及其相应回路的等效电阻,以增大回路时间常数,从而降低下限频率。但这种改善是很有限的,因此在信号频率很低的使用场合,可考虑用直接耦合方式。

单级共基极和共集电极放大电路的高频响应,共射极放大电路的带宽由于密勒效应的影响而较窄。可见,要增加带宽,就必须减小或消除密勒效应。共基极和共集电极放大电路满足这样的要求。下面将着重讨论共基放大电路的高频响应和上限频率。

共基极放大电路的高频响应,从4.5.2节的分析已知,共基极放大电路具有低输入阻抗、高输出阻抗和接近于1的电流增益。这里着重分析它的高频响应。图4.7.15a是图4.5.6a所示共基极放大电路的交流通路,其中Ru=Rc‖RLo图4.7.15b是它的高频小信号等效电路。

由于在很宽的频率范围内rb比rc和re小得多,而且rbb的数值也很小,图4.7.15 共基极放大电路,(a)交流通路 (b)高频小信号等效电路 (c)简化电路 (d)图(c)的等效电路,放大电路的频率响应.

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