H9TQ52ACLTMC 效率管当fk>50 kHz时,可选用绝缘栅双极型功率管(IGBJT)①和ⅤMOs功率管。续流二极管D的选择也要考虑导通、截止和转换三部分的损耗,所以选用正向压降小。反向电流小及存储时间短的开关二极管,一般选用肖特基二极管。输出端的滤波电容使用高频电解电容。

开关稳压电源的控制电路一般用得较多的是“电压一脉冲宽度调制器(简称脉宽调制器PWM)”。目前产品种类很多,可参阅文献[17]。

开关频率人的选择对开关稳压器的性能影响也很大。fk越高,需要使用的l、C值越小。这样,系统的尺寸和重量将会减小,成本将随之降低。另一方面,开关频率的增加将使开关调整管单位时间转换的次数增加,开关调整管的功耗增加,而效率将降低。随着开关管、电容、电感材料及工艺性能的改进,入可提高到15~500 kHz以上。目前已有fk=2 MHz的PWM集成芯片,如MC34066/MC33066。

实际的开关型稳压电源电路通常还有过流、过压等保护电路,并各辅助电源为控制电路提供低压电源等。

带隔离变压器的直流变换型电源,带隔离变压器的直流变换型电源也是一种开关型稳压电源,它主要包括直流变换器和整流、滤波及稳压电路等。直流变换器通常是指将一种直流电压转换为各种不同直流电压的电子设备。它的电路型式很多,有单管、推挽和桥式等变换器;按三极管的激励方式不同又可分为自激式和他激式两种。自激式的振荡频率及输出电压幅度受负载影响较大,适用于小功率电源,而大功率稳压电源多采用他激式。现以图10.3.5所示推挽式自激变换型稳压电路②为例进行讨论。它由推挽式变换器将直流电压变成高频方波,再经过高频变压器Tr、桥式整流、电容滤波电路和稳压电路而得到稳定的直流电压。当要求输出电压不同时,可在高频变压器Tr的二次侧接几组电压uL不同的相同类型的电路。

当接通输入电压yI后,分压器R1、R2上的电压使变换器启动。R2上的正电压经Tr的Ⅳbl、Ⅳb2绕组同时加到BJT T1、T2的基极,由于电路存在微小的不对称,两管导通程度不同。假如T1导通较强,那么,它的集电极电流c1就较大,jc1流过Ⅳ1绕组就使变压器磁化并在所有绕组上产生感应电势。其中绕组Ⅳbt感生的电势使uEl增加,因而T1导电更强;绕组Ⅳb2感生的电势使vbE2IGBJT器件具有绝缘栅MOSFET和BJT相结合的等效电路,并具有两种器件的特点。

推挽式自激变换型电路虽有许多缺点,目前使用不多,但它是分析和设计半桥式或全桥式变换器的重要基础。

减小因而T2导电更弱。经过一个正反馈过程,T1迅速饱和导通,而T2迅速截止c此时,几乎全部电源电压yI都加到一次绕组Ⅳ1的两端。因此,Ⅳ1中的激磁电流与 ^变压器铁心内的磁通近似线性地增加。当铁心磁通趋近饱和值时,磁通的变化接近于零(或 7c1很小),变压器所有绕组上的感应电势亦将接近于零。nb1两端感应电压等于零,T1的基极电流Jb1开始减小,九1也开始减小,因而所有绕组上的感应电势均反极性,铁心内的磁通脱离饱和,形成一个相反的正反馈过程,使T10迅速由饱和转变为截止,而T2迅速由截止转变为饱和。以后流过Ⅳ2的电流氵c2近似线性地增加,使铁心反向饱和,电路再次翻转。如此周而复始,循环不已。图10.3,6画出了各电vL压、电流的波形。由图可见,直流输入电压变换成为矩形波电压0cE1、vcE2及vL)。为了便于理解,图中也画出了磁通的波形,φs为饱和值。直流变换器输出的矩形电压v1再经整 图10.3.6 变换器各部分电压、流、滤波及稳压电路得到直流电压y0。如果电流磁通的波形

两端．