U0805R393KNT可见,功率晶体管属于电流控制型器件。

功率MOS场效应晶体管。这是一种依靠沟道内的多数载流子导电的单极型器件。

功率MOs场效应控制器件属于电压控制器件,只需在栅极(G)和源极(S)间加极性适当的电压便可使器件导通或关断,即ygs=0时,漏极电流rds=o,管子处于关断状态,由器件控制的输出电路便不导通,当ygs达到某一值时,漏极电流rds达到最大值(由yds和Rc所决定),管子处于饱和导通状态,由器件控制的输出电路便接通。

功率晶体管和功率MOS场效应管在电路中使用的符号如图3-20(a)、(b)所示。

虽然功率MOS场效应管与功率晶体管相比具有输入阻抗高,驱动功率小,可由CMOS集成电路或光耦合器驱动;而且,开关延时极短,没有二次击穿和电流集聚效应等一系列优点,作为固态继电器的转换器件是合适的。但是功率MOS场效应管的通态压降比功率晶体管要大得多。因而应根据固态继电器所控制的电路的具体情况来选择采用何种器件。通常在切换直流负载电路的固态继电器中一般采用功率MOS场效应管或功率晶体三极管作为转换器件。

功率晶体管、场效应管和可控硅的符号(a)晶体管(NPN)符号;(b)MOS场效应管符号;(c)可控硅符号。

硅可控整流器,常叫做可控硅,用SCR表示,电路中使用的符号如图3-20(c)所

示。它是开发应用最早的一种晶问管,有三个引出极,即阳极(A)、阴极(K)和门极(或称为控制极)(G)。在可控硅的阳极上加相对于阴极为正的正向电压以后,只有在门极上加适当的相对于阴极为正的正向触发电压时,可控硅才能导通,使阳极回路里有电流流通,相当于卉关的闭合状态。如果在门极上未加触发电压,则不管阳极相对于阴极加正向电压还是加反向电压,可控硅都不能导通(叫做阻断),阳极回路里没有电流流通,相当于开关的断开状态。可见,可控硅是一种典型的大功率可控开关,可作为固态继电器的转换器件。

可控硅一旦导通以后,门极即失去控制作用,这时门极不管是否加触发电压或加负的触发电压,都不能使可控硅关断。要使导通的可控硅关断,只能减小阳极电流使其小于维持电流,或减小阳极电压使其相对于阴极的电压变零或变负,可控硅才恢复到阻断状态。因而它不具各自关断的能力。

三端双向可控硅,简称双向可控硅,其结构和特性可以看成是一对反向并联的可控硅。作为一种双向可控半导体开关,在交流功率电路中使用,可以简化线路.

把￠4.4mm的记作T-1(1/4)。由半值角大小可以估计圆形发光强度角分布情况。从发光强度角分布图来分有三类。

高指向性。一般为尖头环氧封装,或是带金属反射腔封装,且不加散射剂。半值角为5°~20°或更小,具有很高的指向性,可作局部照明光源用,或与光检出器联用以组成自动检测系统。

标准型。通常作指示灯用,其半值角为20°~45°。

散射型。这是视角较大的指示灯,半值角为45°~90°或更大,散射剂的量较大。

按LED的结构分 按LED的结构分有全环氧包封、金属底座环氧封装、陶瓷底座环氧封装及玻璃封装等结构。

按发光强度和工作电流分 按发光强度和工作电流分有普通亮度的LED(发光强度<10mcd),超高亮度的LED(发光强度)100mcd),发光强度在10~100mcd间的高亮度LED。一般LED的工作电流在十几毫安至几十毫安,而低电流LED的工作电流在2mA以下(亮度与普通LED相同)。

LED伏安特性,LED是一种可发光的二极管,除了具有发光特性外,还具有普通二极管的特性。LED的伏安特性曲线可以划分为正向特性区、反向特性区和反向击穿区。