HV9980WGF1=f/n     (2-10)

由式(2-10)说明每个接触点压强和接触形式的关系。一般认为点接触的接触点数目刀最少,压强大,就容易把表面膜压碎,从而使膜电阻Rm减小;面接触的接触点数目刀最多,压强也小,排除和破坏表面膜的能力小,膜电阻Rm的值就大;线接触在两者之间。

由此看来,不能简单地认为面接触的接触电阻最小。如果加在触点上的压力较小时,使得每个接触点的压强不足以破坏表面膜,这时面接触的接触电阻反而比点接触时大。从表2-3的一组实测数据就可以说明这个问题。当触点压力F=9.807N时,面接触的接触电阻要比点接触时大得多。

接触电阻Ri与接触形式的关系(铜)Ri (uΩ)接触形式,点接触,线接触,面接触F=980.7N,继电器触点压力一般都较小,多数采用点接触的形式。而且触点曲率半径要小,以保证必要的压强,最大限度地破坏和消除各种污染膜的影响,保证获得低值而稳定的接触电阻。并且为了减少尘埃膜引起触点的失误,也采用点接触并联触点的结构形式。

接触压力,接触压力对接触电阻Ri的大小有重要影响。没有足够的压力,只靠加大接触面的外形尺寸,并不能使接触电阻有明显的下降。

增加触点压力的作用是增加接触点的有效接触面积,以及最大限度地抑制表面膜对接触电阻的影响。

接触压力对收缩电阻Rs的影响从式(2-5)可以看得很清楚。表2-1中的勿的不同取值就是考虑了接触压力对接触点数目刀的影响。

接触压力增大,当接触点压强超过一定值时, 可以使触点表面的吸附膜减少到2~3个分子层;  当超过材料屈服强度时,产生塑性变形,表面膜被压碎出现裂缝,增大了金属的接触面,使接触电阻值迅速下降。因此,接触压力对膜电阻的影响也是显著的。

综合以上两方面,加大接触压力,使收缩电阻和膜电阻都减小,所以总的接触电阻Rj将减小。图2-10是一组实测的接触电阻随压力的变化曲线。这是用黄铜做成的球对平面的触点上进行，接触电阻的试验曲线．

信号进行描述,在硬件电路的行为描述中,有时为了仿真的需要,也用inmal语句给寄存器变量赋初值。inmal语句主要是一条面向仿真的过程语句,不能用于逻辑综合,因而本书将不作详细介绍。

always本身是一个无限循环语句,即不停地循环执行其内部的过程语句,直到仿真过程结束。但用它来描述硬件电路的逻辑功能时,通常在always后面紧跟着循环的控制条件,所以always语句的一般用法如下:

always@(事件控制表达式)

begin                                    

块内局部变量的定义;

过程赋值语句;

end

这里,“事件控制表达式”也称为敏感事件表,即等待确定的事件发生或某一特定的条件变为“真”,它是执行后面过程赋值语句的条件。“过程赋值语句”左边的变量必须被定义成寄存器数据类型,右边变量可以是任意数据类型。beˉ

gin和end将多条过程赋值语句包围起来,组成一个顺序语句块,块内的语句按

照排列顺序依次执行,最后一条语句执行完后,执行挂起,然后anways语句处于等待状态,等待下一个事件的发生。注意,当begin和end之间只有一条语句,且没有定义局部变量时,则关键词begin和end可以被省略。

在Verilog中,将逻辑电路中的敏感事件分为两种类型:电平敏感事件和边沿触发事件。在组合电路中,输入信号的变化直接会导致输出信号的变化;时序电路中的锁存器输出在使能信号为高电平时亦随输人电平而变化,波形如

图5.3.1(a)所示。这种对输入信号电平变化的响应称为电平敏感事件。

例如,例4.5.9中的语句always@ (se1 0r a or b)

说明sel、a或b中任意一个信号的电平发生变化(即有电平敏感事件发生),后面的过程赋值语句将会执行一次。

而触发器状态的变化仅仅发生在时钟脉冲的上升沿或下降沿,如图5,3，1(b)、(c)所示波形。Ⅴerilog中分别用关键词posedge(上升沿)和negedge(下

降沿)进行说明,这就是边沿敏感事件。例如,语句always@(posedge CP or negedge CR)

说明在时钟信号CP的上升沿到来或在清零信号CR跳变为低电平时,后面的过程语句就会执行。

在always语句内部的过程赋值语句有两种类型:阻塞型赋值语句和非系Blocking Assignment statement的译称。