近来，中国大陆在存储器领域的发展再次火热起来，其中最引人关注的是合肥方面的动作。据称，合肥相关方面投资的合肥长鑫公司将投入约500亿元，在合肥打造月产能12.5万片的12英寸晶圆厂晶圆生产线。另有消息称，北京兆易创新也将加入该项计划。尽管事后兆易创新发布澄清说明，称目前仅处于初期接触阶段。但这些信息也说明了合肥正在尽力形成一个存储器产业的发展聚集地。

另外，中国其他两个存储力量的动作也不小。紫光集团/长江存储董事长赵伟国日前透露，由紫光参与投资总额达240亿美元的武汉存储器芯片基地不久即将开工，预计2018年建设完成，月产能约20万片，到2020年基地总产能将达30万片/月、2030年达到100万片/月，成为世界级存储器生产基地。

福建晋华集成则与联电签订技术合作协定，由联电协助其生产利基型DRAM。目前新建的12英寸厂房已经动工，初步产能规划每月6万片，估计2017年年底完成技术开发，2018年9月试产。

存储器国产替代已经成型。长期以来，我国存储市场几乎被 EMC、戴尔、IBM、日立、富士通等外资品牌所垄断。但随着国内厂商存储器技术的逐渐成熟，外资品牌的技术壁垒被打破，国产品牌开始迅速壮大。目前我国外部存储器市场上国产品牌已经占据约 60%的市场份额。其中，华为目前排名第一，市场占有率约为20%，Dell EMC 排名第二，市占率 14%，第三到六名分别是海康威视、IBM、曙光和浪潮。除此之外，主要的国内厂商还包括：大华股份、同有科技、宇视科技、宏杉科技、联想、神州数码网络和中兴。

专利与人才是重要挑战

尽管中国大陆在发展存储器产业的道路上已经迈出第一步，然而未来的前景尚不好预测。首先，在市场方面，根据最新的DRAMeXchange数据，受到智能手机加载内存容量需不断增长的影响，第三季度移动式内存总产值达45.88亿美元，季增16.8%。DRAMeXchange研究协理吴雅婷预计今年第四季度移动式内存在DRAM总营收占比中仍将持续扩大。

在NAND闪存方面，同样受到智能手机需求影响，第三季度NAND闪存开始涨价，使得NAND厂商营收季度增长19.6%，营业利润率环比大幅增加。DRAMeXchange研究协理杨文得表示，第四季度各类电子终端设备的出货量将进入年度高峰期，预估整体NAND闪存将呈供不应求的状况，NAND闪存的合约价格涨幅将会更高。也就是说，受移动市场的带动，内存市场有望在较长时间内保持旺盛需求。而未来在云计算大数据的驱动下，数据中心建设发展方兴未艾，对存储器的需求将会持续增加。这对中国存储产业的发展是一个利好。

存储器芯片领域，主要分为两类：易失性和非易失性。易失性：断电以后，存储器内的信息就流失了，例如 DRAM，电脑中的内存条。非易失性：断电以后，存储器内的信息仍然存在，主要是闪存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要应用于代码存储介质中，而 NAND 则用于数据存储。在整个存储器芯片里面，主要有的三种产品是：DRAM、NOR FLASH 和 Nand FLASH。

2016年第一季度 Nand FLASH 市场结构

   DRAM市场上主要由三星、海力士和美光三大巨头垄断，占比达到 90%以上。从 Nand FLASH 市场来讲，2016 年第一季度，三星占了 35.1%，所占市场份额很大。整个存储器芯片里面，三星所占市场份额是最大的，目前在市场上主导地位的是闪存（flash memory）。当工艺线宽小于 16nm 的时候，传统闪存面临着一定的物理极限。主要的问题：1、可靠性问题。工艺线宽尺寸小于 16nm 时，厚度逐渐下降，可靠性存在问题，可靠性限制了存储器单层的厚度。2、当然那还有构造问题。3、擦写速度慢。4、有效的擦写次数。

传统闪存继续发展面临的技术瓶颈

   三星

   2008年基于90nm工艺制备512Mb相变存储器芯片； 2011年基于58nm工艺制备1Gb相变存储器芯片；2012 年基于 20nm 工艺制备 8Gb 相变存储器芯片；2014 年发布相变存储器的产业报告。

三星在相变存储器领域的布局

   美光

   2009 年基于 45nm 工艺制备1Gb 相变存储器芯片； 2011 年发布第一款基于相变存储器的 SSD；2013 年基于 45nm 工艺 1Gb 相变存储器芯片实现量产；2015 年联合 Intel发布 3D Xpoint。