同轴引线类型(见图⒋25)

    (1)触丝到外壳距离小于外引线直径的1/2。

   (2)外壳到半导体芯片或到任何共晶键合材料的距离小于0,05mm。 H11A817C

    (3)触丝在离器件引线轴方向倾斜5°以上或变形伸长,以致与自身接触。

   (4)呈现C形和S形的触丝部分,其任意两点间的间隙小于触丝引线直径或厚度的两倍。对具有触丝与外引线和芯片间冶金键合的二极管,如果保持图4ˉ25(a)中规定的最小触丝间距,触丝可能会变形伸长以致与自身接触。

    (5)无触丝结构的器件中,阳极和阴极连接引线相对于器件中心轴的位移超过0.25∏Ⅱn。

    (6)半导体芯片的装配相对于器件主轴的垂线倾斜15°以上。

    (7)芯片面积的10%以上悬在底座或基座边沿。

   (8)不到75%的半导体芯片底面与安装表面焊接。

   (9)在引线和散热片之间的熔焊点中,与任一边缘之间有大于引线直径15%的空洞。在应该被熔接的区域中心存在有空洞。

    (10)器件封装中存在像玻璃体裂纹、不完全密封(有空洞、玻璃位置不合适等)、芯片破裂,以及与芯片或外引线相连的S形和C形触丝严重对不准之类的缺陷。