V/III比又称输入V/III比,是指通入反应室的V族源和Ⅲ族源的摩尔比。以GaAs层的外延为例,设TMGa的流量为20sccm,源瓶内的压力为1200mbar,源瓶所在水浴温度为5℃,AsH3的流量为100sccm,则AsH3的摩尔流量为100sccm/2241鸵m3・mo11=4.5×10ˉ3mo1/min,由1.4.1示例知,TMGa的摩尔流量为5,4×105mol/min,因此输入V/III比为4.5×10ˉ3/5,4×10ˉ5=83。

   在进行红光LED的材料外延时,衬底需AAT2510IWP-IG-T1要加热,如果不采取措施,外延层表面的材料就会受热挥发分解。由于Ⅴ族元素的挥发性比Ⅲ族元素的挥发性要强,因此外延过程通常在高V/III比的条件下进行,以保证生长表面处于富Ⅴ族的环境,这样才能得到良好形貌的外延层。需要说明的是,虽然输入V/III比很高,通常会大于100,但由于AsH3和PH3在生长条件下的裂解效率很低,导致外延层表面的V族元素和Ⅲ族元素的比远低于输入V/III比。

   V/III比除了影响材料的晶体质量外,还会影响材料的掺杂性质。图3-6是Ⅴ/III比对本底GaAs掺杂特性的影响l。l,由图(a)可见,随着Ⅴ/III比的增加,外延层中的净施主浓度增大;图(b)是外延层中载流子浓度与Ⅴ/III比的关系,其中△和○分别代表两个研究者的结果,从图中可以看出,当V/III比较低时,生长的外延层为p型,随着V/III比的增加,外延层由p型转化为n型,且外延层中的电子浓度也随V/III比的增加而增大。