有机残留物是含碳的化合物， RT9166A-33GX例如指纹中的油分。这些残留物可以在溶剂浸泡池中被去除，例如丙酮，乙醇或TCE。一般说来，要想将晶片表面的溶剂完全烘干非常困难，所以如果可能，会尽量避免用溶剂清洗晶圆。另外，溶剂经常会有杂质，从而使其本身成为污染源．

   无机残留物是那些不含碳的物质，这样的例子有无机酸，如盐酸，氢氟酸。它们会在晶片制造的其他I：序中介绍。关于晶圆表面有机物和无机物的去除，有一系列的清洗方案，将在F面的部分介绍。

   化学清洗方案

   半导体工业中存在大范围的清洗工艺。每个制造区域对于清洁度有着不同的需要，也对不同的清洗方案有着不同的经验。在这一小节中描述的清洗方案是那些最常用的类型。当然，在不同的晶圆制造区域，它们又将有多种变化或是方案的多种不同组合。在这里描述的是在掺杂、淀积和金属淀积前晶圆的清洗工艺（光刻胶的去除这一特例将在第8章中讲解）。

   液体的化学清洗工艺通常称为湿法工艺( wet process)或湿法清洗(wet cleaning)。浸泡型清洗在嵌入清洗台的台板上的玻璃、石英或是聚四氟乙烯的槽子中进行（见第4章）。如果一种清洗液需要加热，那么槽子会坐落在一个加热盘上，周围被加热用的电阻丝缠绕或者其内部有一个浸入式加热器。化学品也可用于喷洒，应用于直接冲击或离心分离设备中.