CSD25402Q3AT
- 发布时间：2025/2/25 9:06:07
- 所属类别：集成电路 » 集成电路
- 公 司：兆亿微波（北京）科技有限公司
- 联 系 人：韩
CSD25402Q3AT属性
CSD25402Q3AT描述
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SON-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 76 A
Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.15 V
Qg-栅极电荷: 9.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
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公网安备44030402000607
