IXFH34N65X2

IXFH34N65X2属性

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IXFH34N65X2描述

IXFH34N65X2
FET 类型

IXFH34N65X2 N 通道

技术

IXFH34N65X2MOSFET（金属氧化物）

IXFH34N65X2漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

34A（Tc）

IXFH34N65X2驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

IXFH34N65X2不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

105 毫欧 @ 17A，10V

IXFH34N65X2不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 2.5mA

IXFH34N65X2不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

56 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±30V

IXFH34N65X2不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

3330 pF @ 25 V

FET 功能

-

IXFH34N65X2功率耗散（最大值）

540W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247（IXTH）

封装/外壳

TO-247-3


IXFH34

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