PEMD14,115

PEMD14,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述：TRANS PREBIASED DUAL SOT666
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流_集电极333Ic444111最大222：100mA
电压_集电极发射极击穿111最大222：50V
电阻器_基极333R1444111欧222：47k
电阻器_发射极333R2444111欧222：-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222：150mV @ 500µA，10mA
电流_集电极截止111最大222：1µA
频率_转换：-
功率_最大：300mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：SOT-563，SOT-666
供应商设备封装：SOT-666
包装：带卷 (TR)
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