PBLS6005D,115

PBLS6005D,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述：TRANSISTOR PNP 60V 6TSOP
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
电流_集电极333Ic444111最大222：100mA，700mA
电压_集电极发射极击穿111最大222：50V，60V
电阻器_基极333R1444111欧222：47k
电阻器_发射极333R2444111欧222：47k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，5V / 150 @ 500mA，5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222：150mV @ 500µA，10mA / 340mV @ 100mA，1A
电流_集电极截止111最大222：1µA，100nA
频率_转换：185MHz
功率_最大：600mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：SC-74，SOT-457
供应商设备封装：6-TSOP
包装：剪切带 (CT)
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  • PBLS6005D,115
  • NXP 
  • 2022 
  • 345860 
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  • 深圳市海虹微电子有限公司

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