MVDF1N05ER2G

MVDF1N05ER2G详细规格

类别：FET - 阵列
描述：MOSFET N-CH 50V 2A 8-SOIC
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：50V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 1.5A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：12.5nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V
功率_最大：2W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SO
包装：带卷 (TR)
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  • MVDF1N05ER2G
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查看更多MVDF1N05ER2G的供应商         发布时间：2025/5/31 16:06:00
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